2021年4月23日 Indium phosphide (InP) QDs are direct-bandgap III–V compound semiconductors (bulk bandgap: 1.35 eV) that can be made to emit from the blue (~465 nm) to
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2024年5月16日 Indium phosphide (InP) has several chemical applications. It is commonly used as a dopant in the production of semiconductors, where it helps control the electrical
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2023年7月24日 Indium Phosphide (InP), with its unique direct band gap feature, emerges as an apt contender for utilization in optoelectronics and comprehensive photonics applications. This distinctive attribute allows InP to demonstrate
Moresurface de substrat de phosphure d’indium, processus qui est l’enjeu central de cette étude. A travers cet état de l’art, nous verrons en quoi le processus de nitruration décrit dans cette
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In this paper is studied the thermal sulphidation of low doped (N D ~ 1016 cm-3) N type Indium phosphide in a H2S/H2 vapor at 280 °C. The growth of sulphur layers has been characterized
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Le phosphure d'indium est un semiconducteur III-V présentant un fort potentiel dans les domaines de la micro et de l'optoélectronique. La nitruration est un traitement de surface
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2016年3月1日 Indium phosphide (InP) is an important III–V semiconductor, it exists in two crystalline forms wurtzite (WZ) and zinc blende (ZB) with direct band gaps of 1.42 and 1.35 eV at room temperature, respectively, and is a highly
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Thin-film stacks of phosphorus oxide (POx) and aluminum oxide (Al2O3) have recently been shown to provide excellent passivation of semiconductor surfaces, including crystalline silicon
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2017年4月17日 By exploiting one-dimensional photonic crystal nanocavities, an ultra-compact indium phosphide-on-silicon laser diode with low current threshold, high wall-plug efficiency and high integrability...
More2024年5月16日 Indium phosphide (InP) has several chemical applications. It is commonly used as a dopant in the production of semiconductors, where it helps control the electrical
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Par contre certains de ses composés (semi-conducteurs notamment, tels que arséniure d'indium (InAs) et phosphure d'indium (InP), peu solubles et peu dégradables (et donc rémanents) se montrent toxiques sur le modèle animal
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Le phosphure d’indium possède comme la plupart des semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, etc.) une structure de type « blende », c’est-à-dire deux mailles cubiques faces centrées (cfc) de chacun des deux composants imbriquées et
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2007年8月23日 Indium phosphate InO4P CID 16700902 - structure, chemical names, physical and chemical properties, classification, patents, literature, biological activities ...
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Le nitrate d’indium hydraté In 2 (NO 3) 3. 9/2 H 2 0, sous forme d’aiguilles déliquescentes. Hautement soluble dans l’eau, il se dissout aussi dans l’alcool. De plus, soumis à une élévation de température, il se décompose facilement. Le phosphure d’indium InP
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2022年9月19日 ElectroPhotonic-IC, Inc. (ELPHiC), un innovateur technologique émergent de puces au phosphure d’indium de nouvelle génération, a annoncé aujourd’hui l
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Indium phosphide (InP) is a compound of phosphorus and indium, renowned for its excellent semiconductor properties. Semiconductor devices manufactured using indium phosphide substrates exhibit high saturated electron drift velocity, suitable emission wavelengths for low loss fiber optic communication, strong radiation resistance, good thermal conductivity, high
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Ce mémoire a trait à la nitruration du phosphure d'indium. Le phosphure d'indium est un semiconducteur III-V présentant un fort potentiel dans les domaines de la micro et de l'optoélectronique. La nitruration est un traitement de surface intervenant dans la croissance d'hétérostructures du type InN/InP. L'étude du processus de nitruration de l'InP(100) nécessite
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2014年6月19日 Le phosphure d'indium est utilise dans les applications electroniques a haute frequence et a haute puissance, de par sa plus grande mobilite electronique comparee a celles des semi-conducteurs plus communs, comme le silicium et l'arseniure de gallium. Il possede un gap direct, ce qui le rend apte a utilisation en optoelectronique, comme par exemple dans la
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L'ITO est essentiellement utilisé pour la fabrication d'électrodes transparentes des écrans plats (cristaux liquides, plasma) et des écrans tactiles. Parmi les autres composés, se trouvent le phosphure d'indium (InP), l'arséniure d'indium (InAs), l'oxyde d'indium (In2O3), le chlorure d'indium, le nitrate d'indium, et le sulfate d'indium.
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